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2022.12.02
【中实创新】IGBT焊片封装空洞率新突破!

IGBT,是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。

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IGBT驱动功率小而饱和压降低,是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

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IGBT??榈挠τ镁龆似洳唤鲆屑叩目煽啃?,且要有较长的使用寿命。

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IGBT在实现电流切换的过程中,会产生较大的功率损耗,因此“散热”是影响其可靠性的重要因素。而芯片焊接处和基片焊接处等位置,是IGBT主要的热量传输通道,焊接处的焊接质量影响了IGBT的可靠性和寿命。

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研究表明,焊料层内出现空洞时,芯片结温随之增加,且芯片结温与焊料层空洞率几乎成正比。从而影响热循环,造成局部温度过高,降低模块使用寿命。器件的工作温度每升高10℃,其失效率将增大一倍左右。

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因此,IBGT封装,最重要的是降低焊料层的空洞率。

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中实研发IGBT预成型焊片

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国内首创

> IGBT?八元合金焊片

产品特点:

-满足新能源汽车高可靠性、超长寿命需求

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-更长的产品生命周期性

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> IGBT 加强型等高焊片

产品特点:

-?高强度

-?应力分布均匀

-?焊接层均匀、焊接高度可控

-?低空洞率

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空洞率对比

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实验数据

以下为对比实验数据,可以看到中实IGBT预成型焊片,有效降低了焊接空洞率,且产品稳定性表现更佳。

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目前,中实IGBT预成型焊片已稳定供货于各大半导体企业、新能源汽车企业等。

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